低溫半導體量測分析系統

 

 

本量測系統適用於半導體電子材料、奈米元件之電性量測 (I-VC-V),並且附加溫控系統做溫度調變,可用來分析電子元件之可靠度和電性機制。本平台可在真空下(4×10-2torr 以下)提供由4K~400K之變溫量測環境,及提供最多5端點元件之量測。並可由Agilent 4156C半導體參數分析儀及Agilent 4284 LCR Meter量測在不同溫度下作元件特性的量測和可靠度研究,更能釐清其中的物理機制,是研究分析材料低溫電性不可或缺的利器。

 

儀器設備說明

量測平台型號:Lakeshore TTP-6 Probe Station with Lakeshore 331S Temperature Controller

規格:With 5 terminals including 4 probes and chuck

      Temperature Range400K~4K (use Liquid Helium)

      Chuck SizeDiameter4 cm

      Vacuum System~ 1E-4torr

功能及用途:提供真空低溫環境及4具探針座供電性量測使用

  

 

 

量測儀器型號:Agilent 4156C半導體參數分析儀(With 41501 Pulse and Generator Expander)Agilent 4284 LCR Meter

 

Agilent 4156C半導體參數分析儀

規格:HRSMU(High Resolution SMU) × 4

      Resolution1fA/2μV to 100mA/100V

 

HPSMU(High Power SMU) × 1

Resolution10fA/2μV to 1A/200V

PGU(Pulse Generator Unit) × 2

      Amplitude40Vp-p

      Pulse Width1μs to 9.99s (100ns res.)

      Pulse Period2μs to 10s (100ns res.)

      Transition Time100ns to 10ms (1ns res.)

註:Source Monitor Unit(SMU)

功能及用途:提供高解析度I-V量測及可靠度測試,如:

            MOSFETsTFTsID-VD & ID-VG特性

            DiodeBJTMOSI-V特性

            Hot Carrier StressAC Stress

 

 

Agilent 4284 精密型LCR

規格:1.DC Bias Voltage:±40V

2.Measurement Frequency20Hz to 1MHz

功能及用途:20Hz1MHzC-V量測

 

服務項目

1)精準電性量測分析 (2)變溫量測 (3)低溫電性量測

收費標準

儀器使用每小時收費3,000元整,並提供液氮降溫(77K)

註:如需降溫至77K以下,請額外負擔液氦費用。

試片準備

Sample大小須在2吋以內

在真空或室溫下會揮發出氣體之sample恕不受理

聯絡方式

指導教授:張鼎張 教授 中山大學物理系

TEL(07)52520003708

儀器負責人:楊伯鈞 同學

TEL(07)52520003708

儀器地點:物理館七樓D7009