場發射型掃描式電子顯微鏡
場發射型掃描式電子顯微鏡系利用加負壓於金屬尖端，以發電場將電子吸出尖端而形成很微小的電子束，在極高的真空中操作（-10-10torr），可得到高品質的解析度影像，隨著科學技術的發展，奈米科學與技術已成為國家高科技發展的主軸，因為它可以滿足元件更微小細微化的要求，利用各種方式將材料成分、介面結構等控制在1-100奈米的大小並改變其操控，觀測隨之而來的物理、化學與生物性質等的變化以應用於產業，而場發射型掃描式電子顯微鏡正提供了此奈米結構量測及操作所需的最重要的工具。
儀器設備說明
廠牌及型號：JEOL JSM-6330TF
| 解析力 | 1.5nm(15kv), 5.0nm(1.0kv) |
| 加速電壓 | 0.5kv to 30kv (100v steps) |
| 倍率 | x10 to x500,000 |
| GUN | 熱場效型 In-Lens Thermal |
| 影像模式 |
SEI(二次電子影像) BEI TOPO/COMP(背向電子影像) |
| 樣品最大容許 | 25mm直徑x10mm高 |
| 及時影像顯示 | 1280x1024 pixels |
| 樣品台 |
Eccentric X=70mm, Y=50mm, Z=3mm~41mm R=360°，T=-5~60° |
- CL (Cathodoluminescence System) 陰極光偵測系統
服務項目
- SEI（Scanning Electron Image）材料表面結構觀察，破斷面觀察，薄膜鍍層觀察
- BEI（Backscatter Electron Image）背向散射電子影像觀察
- 能量分散光譜儀(Energy Dispersive Spectrometer)可作微區成分之定性、半定量分析、linescan及mapping
取樣注意事項
- SEI，BEI，CL部分：試片大小直徑在25mm以內，高度不要超過10mm，試片請自行前處理
- 樣品表面需導電，表面不導電之樣品需經鍍碳或鍍金，請先自行處理。若無事先處理，現場亦有，但須另外現金收費(200元/次)
- 請自行攜帶光碟片存取檔案，禁止以隨身碟存取檔案
- 取消預約需2天前通知，否則將動用處分罰則，照收基本使用費並由等候者遞補
- 本儀器不接磁性粉末、高揮發性、腐蝕性、生物、含毒性等試片以確保儀器最佳真空狀態
- 奈米粉末製備方式請事先以電話和技術員聯絡
- 高分子材料請填寫「高分子申請表」,經審查許可後方可進行預約
收費標準
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儀器 |
計畫 |
非計畫 |
訓練 |
認證 |
費用說明 |
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自行 |
委託 |
自行 |
委託 |
費用 |
時數 |
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200 |
300 |
1500 |
300/HR |
6 |
1000 |
小時計費 一時段為3小時 |
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未滿1小時以1小時收費
附加使用 - 有計畫收費
EDS系統點分析加收50元/點。面、線分析加收100元/點
CL系統每小時加收150元
聯絡方式
指導教授：蔣酉旺 教授，材料與光電科學學系
TEL：(07)5252000 ext. 4081
技術人員：顏采蓉
TEL：(07)5252000 ext. 4085
儀器地點：材料大樓 工MS3024室
儀器專家:
蔣酉旺教授
技術人員:
顏采蓉
聯絡方式:
(07)5252000 ext. 4085
地點:
材料大樓 工MS3024室
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