本儀器適用於固體奈米材料、半導體電子材料、陶瓷礦物材料、金屬材料、高分子材料等。以300KV高能量電子穿透試片，可觀察物體之形貌、量測尺寸、分析材料內部之微細組織、缺陷及晶體結構。能同時提供HR高解像分析、EDS微區域化學成分分析、Microdiffraction微束繞射分析、高角度多方位繞射分析及高品質之明、暗視野影像。兼具解析及高解像顯微雙重功能，是微觀世界中研究分析材料不可或缺的利器。

儀器設備說明

• 型號：JEOL JEM-3010 Analytical Scanning Transmission Electron Microscope

• 規格：

1.  加速電壓：0~300KV
2.  放大倍率：50~1,200,000X
3.  解像力：Point : 0.21nm; Lattice : 0.14nm
4.  pot size : 1.5~200nm
5.  CBED : convergent angle : 1.5~20mrad
6.  雙傾斜試片座：X軸±40°；Y軸±30°

• 附件：
  • Ｘ光成份分析系統(EDS)
    • 型號：  EDS X-MAX80T for 300kv TEM
      1.  SDD internal integrated FET
      2.  Sensor size: 80mm2 active area
      3.  Detector Window: SATW Ultra thin polymer window

• 功能及用途

1.  具有掃描及穿透功能，可作各種固體材料微細組織，晶體結構及缺陷之觀察分析
2.  可作微束繞射分析(Microdiffraction)，含CBED分析(Convergent Beam Electron Diffraction)，鑑定結晶材料微結構
3.  可作高解析(HREM)，增強訊號並放大影像分析結晶材料微結構
4.  可作化學元素成份定性及定量全能譜分析：⁵B~⁹²U

服務項目

1.  觀察分析及微束繞射分析
2.  元素分析及高解析成像分析

收費標準

1.  計畫預約：每時段3小時，燈絲使用時間每小時400元
2.  非計畫預約：每時段3小時，燈絲使用時間每小時1,500元
3.  每張相片加收10元
4.  使用EDS、HR解析，每小時各加收200元

試片準備

• 大小：直徑3mm，並已薄化穿孔者
• 在電子束照射下會分解或釋出氣體之樣品及強磁性材料恕不受理

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