適用於固體奈米材料、半導體電子材料、陶瓷礦物材料、金屬材料、生醫材料、高分子材料等。以場發射200KV高能量電子穿透試片，具穿透及掃描功能，可觀察物體之形貌、量測尺寸、分析材料內部之微細組織、缺陷及晶體結構。能同時提供HR高解像分析，Microdiffraction微束繞射分析，EDS微區域化學成份分析、化學元素Mapping與Line Profile分析，EELS電子能量損失能譜分析輕元素化學成份及原子鍵結組態分析。可作高角度多方位繞射分析及高品質之明、暗視野影像。兼具解析及高解像顯微多重功能，是微觀世界中研究分析材料不可或缺的利器。

儀器設備說明

• 型號：Tecnai F20 G2 MAT S-TWIN Field Emission Gun Transmission Electron Microscope

• 規格：

1.  加速電壓：20~200KV
2.  放大倍率：X 25~1.03M
3.  解像力：Point Resoltion：0.23nm；Line Resoltion：0.1nm；Information Resoltion：0.15nm
4.  Spot size：TEM：8.5~350nm；Microprobe：1~25nm；Nanoprobe：0.3~5nm
5.  CBED：convergent angle：1.5~20mrad
6.  雙傾斜試片座：X軸±40°；Y軸±30°
7.  STEM 配備 HAADF Detector 及 BF/DF Detector
8.  Gatan CCD（2K×2K）

• 附件：

1.  EDS Analysis  X光能量散佈分析儀

   Oxford AZtec Energy Advanced (plus IE350) with X-MaxN 80

• Si drift detector (SDD) (LN2 free), 80mm2
• Resolution：≦129ev

2.  GIF 影像過濾器 / EELS 電子能量損失能譜儀

  Gatan Image Filter / Electron Energy Loss Spectroscopy

  配備Windows 作業系統；Auto PEELS 軟體；CCD（2K×2K）

3.  STEM 掃描成像控制系統

  配備HAADF Detector

4.  Multiscan CCD Camera 電荷耦合元件成像附件

  Gatan Charge Coupled Device Camera（2K×2K）

• 功能及用途

1.  具有穿透及掃描功能，可作各種固體材料微細組織，晶體結構及缺陷之顯微觀察分析
2.  可作高解析(HREM)，分析結晶材料微結構
3.  可作微束繞射分析Microdiffraction（NBED）及Convergent Beam Electron Diffraction（CBED）分析。鑑定結晶材料微結構
4.  可作化學元素成份定性及定量全能譜分析（EDS）：5B~92U
5.  可分析化學元素分佈，EDS的Mapping與Line Profile分析
6.  可作電子能量損失能譜（EELS），分析化學元素成份（輕元素）及原子鍵結組態

服務項目

(1) 顯微觀察分析                               (2) 高解析成像分析                              (3) 微束繞射分析

(4) 掃描HAADF分析                          (5) 電子能量損失能譜分析

(6) 化學成份EDS Point，Line Profile 與 Mapping 分析                              (7) CCD照相

收費標準

1.  儀器使用費：1小時NT$600元/每時段3小時，超過以1小時計費一次。

(1) 高解析成像分析  (2) NBD/CBD Analysis  (3) STEM Analysis（HAADF） (4) EDS分析（點，線，面分析）：前四項NT$100元/小時。

(5) 電子能量損失能譜EELS/GIF分析：NT$200元/小時。

2.  計畫收費：

委託服務600元/小時，細項同上計費。

自行操作300元/小時，細項0.5倍計費。

3.  非計畫收費：委託服務2000元/小時。細項3倍計費。

試片準備

• 試片直徑3mm圓盤狀，須已薄化穿孔並可導電之固體材料。
• 在電子束照射下會分解或釋出氣體之樣品、高分子材料、磁性粉末及強磁性材料恕不受理。

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