高階三束型聚焦離子束顯微鏡
本儀器為高階三束型聚焦離子束顯微鏡,同時擁有高性能聚焦離子束、高分辨率場發射電子顯微鏡及低能量氬離子束薄化功能,使得 TEM試片快速製備、高分辨率觀察、精確的奈米尺度加工成為可能。
本儀器主要是提供一個可快速分析材料特性的微型加工工作站,無論是試片研磨難度高或是需精確切割、觀察的試片均可使用本儀器,能使該儀器發揮高度的使用率,如此讓使用者節省了寶貴的時間又可得到以往可能無法完成的實驗結果。
儀器設備說明
- 型號:Hitachi NX2000
- 規格:
- FIB加速電壓:0-30 kV
- 離子束電流:≧100 nA
- FIB解析度:30 kV時最佳4 nm;2 kV時最佳60 nm
- 離子源:液態鎵(Ga)離子源
- FIB電磁透鏡系統:低球面像差電磁透鏡系統
- SEM加速電壓:0.5 - 30 kV
- SEM 解析度:5 kV時最佳2.8 nm;5 kV時最佳3.5 nm
- 電子源:場發射式(冷場)
- 偵測器:二次電子及背向散射電子偵測器
- 樣品載台移動範圍:
X: 205 mm ,Y: 205mm , Z: 10 mm
T: -5 - 60°, R: 360°
- 氬離子束削薄系統
- 電子微探針取樣系統
- 可沉積材料:C, Pt
- 樣品成份分析系統(EDS):
Effective Area(有效面積):50mm2
Resolution(解析度):≦127eV
- 雙重可傾斜式載台
- 載台搖擺功能
- 自動製備TEM試片功能
功能及用途
- 功能
- 精確定點切割- 在可見範圍內位置皆可蝕刻
- 同步觀察- 離子束切割時可用SEM同步觀察蝕刻狀況以利掌握蝕刻進度
- 選擇性材料沉積- 可在特定位置沉積碳或白金
- 有氬離子束可製作品質更佳的TEM試片
- 可以邊切邊分析樣品成份
- 可以去除離子束造成的窗簾效應
- 用途
- 快速製作高品質TEM試片以利材料分析
- 樣品截面觀察
- 蝕刻特定圖型
- 簡單線路修補
- 樣品成份分析
服務項目
- 穿透式電子顯微鏡試片製作(可提高試片製作成功率與縮短製作時間)
- 元件故障分析
- 化學元素成份分析
- 特殊圖型蝕刻
- 選擇性沉積金屬或非金屬
收費標準
計畫預約:3000元/1小時
非計畫預約:8000元/1小時
試片準備需知
- 低熔點的材料如:銦、錫等,會產生相變及蒸鍍效應,請勿預約本機台
- 在電子束照射下會分解或釋出氣體之樣品及有機物、高分子、粉末材料、高磁性元素(Fe, Co, Ni)等,因有礙真空維持或可能污染腔體,恕不服務
- 使用者必需詳細說明試片之成分,若有可能造成真空腔的污染,本單位有權拒絕受理
- 樣品最大尺寸為8吋晶圓大小,但原則上以0.5 cm×0.5cm破片為佳
- 若使用者因操作失當而造成儀器污染或損壞時,須負責賠償並暫停儀器之使用權,賠償費用則由原廠評估
※自行操作者第一次發生撞擊column時,若狀況輕微先停權1個月,一個月後再次認證;若嚴重撞擊直接永久停權並向其要求賠償,假如認證通過後又再次發生第二次撞擊,終生停權
※自行操作者如果在21天內未使用,將禁止預約晚上,只能預約白天(或是技術員在的時候),經過技術員認可後,始可預約晚間自行操作
- 樣品表面需導電,表面不導電之樣品需經鍍碳或鍍白金,請先自行處理。若無事先處理,現場亦有coater(鍍白金),但須另外收費
- 線上預約前務必事先電話連絡操作員,以方便技術員操作及判斷時數
- 第一次委託期間委託者必須在場,方便操作員跟委託人溝通
- 實際使用時數未達預約時數,其餘時間照常計算
- 實驗中若發現送測樣品不符合規定而不能操作者,照常收費
- 取消預約須於2天前告知。若當天才告知要取消將照常收費
聯絡方式
指導教授:張鼎張 教授
TEL:(07)5252000 ext. 3715/3708;E-mail:tcchang3708@gmail.com
技術員:陳彥文 先生
TEL:(07)5252000 ext. 3743/3746;E-mail:ahbay@staff.nsysu.edu.tw
儀器地點:國研大樓地下室IR0001 奈米中心
儀器專家:
張鼎張教授
技術人員:
陳彥文
聯絡方式:
(07)5252000 ext. 3746
地點:
國際研究大樓地下一樓 IR0001室
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