高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡適用於金屬固體、半導體電子、陶瓷礦物、生醫觸媒、高分子、金屬有機框架及電子束敏感等奈米材料等。以場發射80-200KV不同能量電子穿透試片，具穿透及掃描功能，可觀察物體之形貌、量測尺寸、粒徑計算、分析材料內部之顯微組織、缺陷及晶體結構。此外，能同時提供在TEM與STEM模式下的高解像分析，Microdiffraction微束繞射分析，TEM-EDS與STEM-EDS的原子級元素化學成份分析、化學元素Mapping與Line Profile分析，以及3D立體影像分析。可作高角度多方位繞射分析及高品質之明、暗視野影像。兼具原子級解析及高解像顯微多重功能。

儀器設備說明

• 型號：FEI (Thermo Fisher Scientific), Talos F200X G2 Field Emission Scanning Transmission Electron Microscope
  

主要規格

• 加速電壓：20~200KV
• 放大倍率：TEM影像放大倍率25x-1.50Mx，STEM影像放大倍率50x-230Mx 
• 分辨率：TEM分辨率：≤0.12 nm，STEM HAADF分辨率：≤0.16 nm
• 雙傾斜試片座的最大傾斜角度: ±30˚
• EDS 系統:對稱設計2個Dual-X 6T-100RT, Bruker
• EDS 收集成像: 像素停留時間低於10 µs
• EDS 有效立體角: 1.65 srad
• 攝相機: Low-distortion Ceta 4k x 4k, Ceta Speed Enhancement (40 fps)
• 攝相機長度: 12-5700 mm
• 最大繞射角度: ±24°
• STEM 偵測器：BF、DF2、DF4、HAADF

功能及用途

1. 具有穿透及掃描功能，可作各種固體材料微細組織，晶體結構及缺陷之顯微觀察分析。

2. 可作高解析(HREM/HRSTEM)，分析結晶材料微結構。

3. 可作繞射分析、微束繞射分析Nano BeamDiffraction（NBD）及聚束電子繞射Convergent Beam Electron Diffraction（CBED）分析。

4. 可在TEM與STEM模式下作化學元素成份定性及定量全能譜分析、EDS mapping 及 EDS line profile分析。

5. 新的低電子束流劑量 TEM 技術中，示差像對比影像(DPC/iDPC-STEM)可針對電子束敏感材料有效成像。

6. 可作3D EDS Tomography分析。

7. 統包式分析服務或諮詢。

服務項目

1. 顯微觀察分析: 明視野、暗視野影像
2. 高解析成像分析(HRTEM/HRSTEM)
3. 繞射分析、聚束電子繞射及微束繞射分析
4. EDS搭配STEM不同偵測器下獲取影像和光譜訊號，並可進行化學成分EDS點線面掃描分析，以及原子級影像EDS分析
5. 3D電子束體層攝影術影像及成分分析
6. 數據圖片資料提取一律DVD光碟片燒錄

收費標準

試片準備

1. 試片以(1) 薄化穿孔箔片，(2)承載於直徑3mm的鍍碳銅網，(3) 半分載網(Omniprobe Lift-Out)為主。
2. 若材料為棒、管、粒或片狀材懸浮於溶液中的粉體，請務必使用無水乙醇或去離子水當溶劑，完成TEM試片製備後需在烘箱至少80度烘烤24小時以上，再置於真空環境保存，於實驗當天再拆封，違者一律禁止檢測。
3. 高分子試片暫時無法提供服務。如有分析需求，請先洽本中心高分子專用TEM（JEOL JEM-2100）負責技術人員林顯燦先生。
4. 具磁性(如含鐵/鈷/鎳等)顆粒材料一律禁止檢測。但磁性塊材經過TWIN-JET處理或FIB切割銲接在半銅環上才能檢測。相關諮詢請先洽負責技術人員或本中心黃惠君博士（07-5252000#4075）諮詢。
5. 使用者對試片前處理方式如有疑問，請洽本中心黃惠君博士（07-5252000#4075）諮詢。

聯絡方式