高解析掃描穿透式電子顯微鏡
高解析場發射掃描穿透式電子顯微鏡適用於金屬固體、半導體電子、陶瓷礦物、生醫觸媒、高分子、金屬有機框架及電子束敏感等奈米材料等。以場發射80-200KV不同能量電子穿透試片,具穿透及掃描功能,可觀察物體之形貌、量測尺寸、粒徑計算、分析材料內部之顯微組織、缺陷及晶體結構。此外,能同時提供在TEM與STEM模式下的高解像分析,Microdiffraction微束繞射分析,TEM-EDS與STEM-EDS的原子級元素化學成份分析、化學元素Mapping與Line Profile分析,以及3D立體影像分析。可作高角度多方位繞射分析及高品質之明、暗視野影像。兼具原子級解析及高解像顯微多重功能。
儀器設備說明
- 型號:FEI (Thermo Fisher Scientific), Talos F200X G2 Field Emission Scanning Transmission Electron Microscope
主要規格
- 加速電壓:20~200KV
- 放大倍率:TEM影像放大倍率25x-1.50Mx,STEM影像放大倍率50x-230Mx
- 分辨率:TEM分辨率:≤0.12 nm,STEM HAADF分辨率:≤0.16 nm
- 雙傾斜試片座的最大傾斜角度: ±30˚
- EDS 系統:對稱設計2個Dual-X 6T-100RT, Bruker
- EDS 收集成像: 像素停留時間低於10 µs
- EDS 有效立體角: 1.65 srad
- 攝相機: Low-distortion Ceta 4k x 4k, Ceta Speed Enhancement (40 fps)
- 攝相機長度: 12-5700 mm
- 最大繞射角度: ±24°
- STEM 偵測器:BF、DF2、DF4、HAADF
功能及用途
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具有穿透及掃描功能,可作各種固體材料微細組織,晶體結構及缺陷之顯微觀察分析。
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可作高解析(HREM/HRSTEM),分析結晶材料微結構。
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可作繞射分析、微束繞射分析Nano BeamDiffraction(NBD)及聚束電子繞射Convergent Beam Electron Diffraction(CBED)分析。
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可在TEM與STEM模式下作化學元素成份定性及定量全能譜分析、EDS mapping 及 EDS line profile分析。
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新的低電子束流劑量 TEM 技術中,示差像對比影像(DPC/iDPC-STEM)可針對電子束敏感材料有效成像。
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可作3D EDS Tomography分析。
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統包式分析服務或諮詢。
服務項目
- 顯微觀察分析: 明視野、暗視野影像
- 高解析成像分析(HRTEM/HRSTEM)
- 繞射分析、聚束電子繞射及微束繞射分析
- EDS搭配STEM不同偵測器下獲取影像和光譜訊號,並可進行化學成分EDS點線面掃描分析,以及原子級影像EDS分析
- 3D電子束體層攝影術影像及成分分析
- 數據圖片資料一律採用雲端下載,無需攜帶隨身碟或DVD光碟片
收費標準
a. 計畫預約:
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每時段以3小時計算,燈絲使用時間每小時收費NT$ 600元。
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(1)高解析成像(HRTEM)分析,(2)微區繞射(NBD)/ 聚束電子繞射(CBED)分析,每小時收費NT$100元。
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EDS(點/線/面)分析,每小時收費NT$200元。
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STEM(BF/DF/HAADF)分析與HRSTEM分析,每小時收費NT$300元。
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示差像對比(DPC)影像STEM分析,每小時收費NT$300元。
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高解析原子影像EDS(點/線/面)分析,每小時收費NT$500元。
b. 非計畫預約:
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每時段以3小時計算,燈絲使用時間每小時收費NT$ 2,500元。
試片準備
- 試片以(1) 薄化穿孔箔片,(2)承載於直徑3mm的鍍碳銅網,(3) 半分載網(Omniprobe Lift-Out)為主。
- 若為粉體或懸浮於溶液中的粉體,需妥善處理並置放於真空腔中抽乾,並於實驗前告知技術人員試片的前處理方式。
- 高分子試片暫時無法提供服務。如有分析需求,請先洽本中心高分子專用TEM(JEOL JEM-2100)負責技術人員林顯燦先生。
- 具磁性的試片,請先洽負責技術人員或本中心黃惠君博士(07-5252000#4075)諮詢。
- 使用者對試片前處理方式如有疑問,請洽本中心黃惠君博士(07-5252000#4075)諮詢。
聯絡方式
指導教授:張六文 教授,工學院材料與光電科學學系
技術人員:王光國 博士
TEL:(07) 5252000 ext.4073/4074
儀器地點:工學院材料與光電科學學系大樓 工MS1001 室
儀器專家:
張六文教授
技術人員:
王光國
聯絡方式:
(07)5252000 ext. 4074/4073
地點:
工學院材料與光電科學學系 工MS1004室
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